RFHIC与 Cree深 入合作，为市场提供成熟的 GaN技术、产品。RFHIC通过 ISO9001和 14001认证，提供可信、可靠的产品。作为一个一站式方案提供商，我们可以处理 MMIC、裸片贴装、引线、封装，板上芯片、混合电路、表面贴装、射频测试以及全线质量控制，并且我们满足 RoHS及无铅等标准。 RFHIC 与美国 Cree公司签署了合作协议，为 RFHIC 的 GaN 功放模块提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同时达成了市场合作方案，通过结合 Cree的晶片生产能力与 RFHIC在封装、放大集成、装配和模块设计方面的能力，更深入的推进 GaN HEMT方案的市场份额。RFHIC 技术总监 Samuel Cho表示，“我们最初选择 Silicon基 GaN HEMT方案，基于它超好的散热、电性能以及卓越的可靠性，目前产品线转到 Cree的 SiC基 GaN HEMT技术”。Cree射频微波产品线总监 Jim Milligan补充到，“Cree和 RFHIC核心技术的联合将加速 GaN HEMT在手机通信基础设施、双向通信、CATV放大器以及各种其它市场的市场份额